ساختار عمودی و ضخامت شاره های برافزایشی داغ در حضور میدان مغناطیسی

پایان نامه
چکیده

در تحقیق نخست به بررسی تأثیر میدان مغناطیسی چنبره ای در ساختار عمودی و نیز ضخامت شاره های برافزایشی پهن رفت غالب می پردازیم. شاره برافزایشی مغناطیده را ایستا و با تقارن محوری در فاز پهن رفت غالب در نظر می گیریم. فرض می کنیم که سازوکارهای مسلط برای اتلاف انرژی، ناشی از دو عامل وشکسانی تلاطمی و پخش مغناطیسی است. در این تحقیق از روش خودمشابه در راستای شعاعی استفاده خواهیم کرد تا وابستگی عمودی کمیات فیزیکی ای چون سرعتهای شعاعی، سمتی و سرعت صوت و آلفن را بیابیم. نتایجی که در این تحقیق به آن می رسیم نشان می دهد که مولفه عمودی نیروی مغناطیسی در جهت مخالف با نیروی گرانش عمل می کند و سبب فشرده تر شدن قرص می شود، یعنی در مقایسه با حالتی که میدان مغناطیسی وجود ندارد باعث کاهش چشمگیری در نیم پهنای قرص می شود. از سوی دیگر، دو پارامتر در مسئله وجود دارد که نقشی موثر در پهنای قرص دارند یکی از آنها به واسطه کنش میدان مغناطیسی بر روی شاره و دیگری ناشی از واکنش شاره در پاسخ به تأثیر میدان مغناطیسی است. اولین پارامتر، "بتا0" است که نشاندهنده شدت میدان مغناطیسی در صفحه استوایی قرص است و باعث کاهش ضخامت قرص می شود و دیگری پارامتر "اتا0" است که پخش مغناطیسی را نشان می دهد و هنگامی که این پارامتر افزایش می یابد سبب افزایش ضخامت شاره می شود. در تحقیق دوم، اثرات میدان مغناطیسی عام بر روی شاره برافزایشی داغ وشکسان- مقاوم را بررسی می کنیم. هر سه مولفه سرعت و میدان مغناطیسی را در مختصات کروی در نظر می گیریم. فرض می کنیم که عوامل اصلی گرمایش شاره مغناطیده، وشکسانی تلاطمی و پخش مغناطیسی است. برای توصیف شاره ای با تقارن محوری پایا، از روش خودمشابه استفاده می کنیم. از الگوی آلفا برای وشکسانی استفاده می کنیم و فرض می کنیم تنها یک مولفه تانسور تنش، مهم است. بنابراین دستگاهی شامل معادلات دیفرانسیل مرتبه اول را بدست می آوریم و با استفاده از تقارن آیینه ای حول استوا، شرایط مرزی لازم را تعیین کرده و سپس دستگاه را با روش عددی حل می کنیم. شرط مرزی برای میدان مغناطیسی را با استفاده از فرض تقارن فرد آن حول استوا تعیین می کنیم.در این تحقیق روی 4 پارامتر تمرکز می کنیم که عبارتند از: "بتا r0" و "بتا فی 0" (مربوط به مولفه های میدان مغناطیسی در استوا)، "اِتا0" (مقاومت مغناطیسی) و n (شاخص چگالی). پاسخهای ما نشان می دهند که قرص به دو منطقه مجزا تقسیم می شود یکی منطقه ای که در آنجا سرعت شعاعی منفی است و دیگری جایی است که سرعت شعاعی مثبت است. شرط مرزی برای وقوع برون ریزش را بزرگتر بودن "بتا فی0" در مقایسه با"بتا r0" برای حالت n>1 یافتیم. نتایج این قسمت نشان می دهند که هرچقدر "بتا r0" کوچکتر و "بتا فی0" ،"اتا0" و n بزرگتر باشند برون ریزش قویتری در سیستم وجود خواهد داشت.

منابع مشابه

تحول دینامیکی قرص‌های برافزایشی خودگرانشی پلی تروپ با وشکسانی بتا در حضور میدان مغناطیسی چنبره‌ای

In this paper,the effect of troidal magnetic field is studied in standard self-gravitating thin disks with β priscription. By applying the magnetic field, we expect to see different behaviors compared to a non-magnetic field case.The study reveals self-similar solutions for radial infall velocity, rotation velocity, surface density and mass accretion rate. Our results also show that by increasi...

متن کامل

تحول دینامیکی قرص های برافزایشی خودگرانشی پلی تروپ با وشکسانی بتا در حضور میدان مغناطیسی چنبره ای

در این مقاله، اثر میدان مغناطیسی چنبره ای در اطراف قرص های نازک خود گرانشی با الگوی وشکسانی بتا مطالعه می شود. انتظار داریم با اعمال میدان مغناطیسی در یک قرص نازک خود گرانشی با الگوی β رفتار متفاوتی در مقایسه با حالت بدون میدان مغناطیسی داشته باشیم. با استفاده از حل روش های خود مشابهی تحول زمانی قرص های وشکسان خود گرانش پلی تروپ دراطراف یک جسم مرکزی جوان را بررسی می کنیم و بعضی از کمیت های فیزی...

متن کامل

بررسی ساختار و طیف تابشی یک شاره ی مغناطیده ی داغ با حضور هدایت گرمایی

ما اثر هدایت گرمایی را روی ساختار و خواص رصدی یک شاره ی برافزایشی مغناطیده ی داغ بررسی کرده ایم. اهمیت هدایت گرمایی در شاره های برافزایشی داغ توسط مشاهدات از گاز داغ اطراف و نزدیک هسته های کهکشانی تائید شده است. برای یک ساختار پایا و با تقارن محوری از چنین شاره هایی یک مجموعه ای از راه حل های خود مشابه را ارائه می دهیم. در این مطالعه ما دوباره راه حل ارائه شده توسط عباسی و همکاران در 2008 را با...

15 صفحه اول

بررسی کاربرد مدل‌های میدان مغناطیسی حاصل از داده‌های ماهواره‌ها در برآورد ضخامت پوسته مغناطیسی

ماموریت‌های اخیر ماهواره‌های اندازه‌گیری میدان مغناطیسی زمین منجر به افزایش قابل توجه داده‌های میدان مغناطیسی شده است. با داده‌های جدید که کیفیت بسیار مطلوبی نیز دارند، اطلاعات در مورد میدان مغناطیسی زمین به سرعت توسعه یافته و توصیف‌های جدید و دقیق‌تر میدان مغناطیسی از روی مدل‌های میدان مغناطیسی به‌طور پیوسته گسترش می‌یابد. امروزه، تفکیک‌پذیری مدل‌های میدان مغناطیسی به حدی رسیده است که امکان تف...

متن کامل

اثر رسانش گرمایی بر جریان های برافزایشی وشکسان و مقاومتی در حضور میدان مغناطیسی چنبره ای

‏قصد داریم اثرات رسانش گرمایی را بر ساختار جریان های برافزایشی وشکسان و مقاومتی در حالت تحت غلبه پهن رفت مورد بررسی قرار دهیم. در این تحقیق رسانش گرمایی به شکل اشباع شده در نظر گرفته{می شود}. همچنین وشکسانی و مقاومت مربوط به تلاطم و وابسته به میدان مغناطیسی فرض می شوند. در این حالت ضریب سینماتیک وشکسانی و انتشار مغناطیسی ثابت نیستند. برای توصیف آن ها از مدل استفاده کرده ایم. برای حل معادلات حاک...

15 صفحه اول

بررسی تجربی ویسکوزیته نانو سیال رسانا در حضور و عدم حضور میدان مغناطیسی

ویسکوزیته نانوسیال مغناطیسی اتیلن گلایکول-  Fe4O3 تحت میدان مغناطیسی ثابت، موازی و در جهت جریان نانوسیال به طور آزمایشگاهی مورد بررسی قرار گرفت. نتایج نشان داد با افزایش شدت میدان مغناطیسی ویسکوزیته نانوسیال کاهش می­یابد. همچنین آزمایشات نشان داد افزایش زمان قرارگیری نانوسیال در معرض میدان مغناطیسی تأثیر کاهش ویسکوزیته نانوسیال را بیشتر میکند

متن کامل

منابع من

با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید

ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده

{@ msg_add @}


نوع سند: پایان نامه

وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه فردوسی مشهد - دانشکده علوم پایه

میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com

copyright © 2015-2023